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高(gāo)中教學設備幹貨·實驗室分(fēn)析測試儀

時(shí)間(jiān):2022-09-17 15:43:02 點擊次數(s✘✘→hù):537
 

文(wén)章(zhāng)導讀(dú)目錄1.紫外(wài)分(fēn)光(guāng)光(guā♠→שng)譜UV2.紅(hóng)外(wài)吸收光(guāng)譜法IR3.核磁共振波譜法NMR4.質譜分(fēn)析法MS5.氣相(xiàng)色譜法GC6.凝膠色譜法GPC7.熱(rè)重法TG8.靜(jìng)态熱(rè)-力分(fēnΩ×)析TMA9.透射電(diàn)子(zǐ)顯微(wēi)技(jì)術(shù)TEM10.掃描電(diàn)子(zǐ)顯微(wēi)技(jì)術(shù)SEM11.原子(zǐ)力顯微(wēi)鏡AFM12.掃描隧道(dào)顯微(wēi)鏡STM13.原子(zǐ)吸收光(guāng)譜AAS14.電(diàn)感耦合高(gāo)頻(pín)等離(γ​☆lí)子(zǐ)體(tǐ)ICP15.X射線衍射XRD16.納米顆粒追蹤表征

1.紫外(wài)分(fēn)光(guāng)光(•¥σ₩guāng)譜UV

分(fēn)析原理(lǐ):吸收紫外(wài)光(guāng)能(néng)量,引起分(fēn >δ)子(zǐ)中電(diàn)子(zǐ)能(néng)級的(de)躍遷

譜圖的(de)表示方法:相(xiàng)對(duì)吸收光(guāng)能(néng)量随吸收光(guāng)≤≈±波長(cháng)的(de)變化(huà)

提供的(de)信息:吸收峰的(de)位置、強度和(hé)形狀,提供分(&÷↑fēn)子(zǐ)中不(bù)同電(diàn)子(σ¥ ↔zǐ)結構的(de)信息

物(wù)質分(fēn)子(zǐ)吸收一(yī)定的(de)波長(cháng)的(de)>δ¥÷紫外(wài)光(guāng)時(shí),分(fēn≈>↔)子(zǐ)中的(de)價電(diàn)子(zǐ)從₽✘♥↑(cóng)低(dī)能(néng)級躍遷到(dào)高(gāo₹$)能(néng)級而産生(shēng)的(de)吸收光(guāng)譜∏¥¥較紫外(wài)光(guāng)譜。紫光(guāng)吸收光(guāng)譜主要(y¥→ào)用(yòng)于測定共轭分(fēn)子(zǐ)、組分£←(fēn)及平衡常數(shù)。

光(guāng)線傳輸

光(guāng)衍射

探測

數(shù)據輸出

2.紅(hóng)外(wài)吸收光(g☆¶uāng)譜法IR

分(fēn)析原理(lǐ):吸收紅(hóng)外(wài)光(guāng)能(néng)量,引起具有(yǒu)偶極 ‌γ 矩變化(huà)的(de)分(fēn)子(zǐ)的(de)振動、轉動能(néng)級躍遷

譜圖的(de)表示方法:相(xiàng)對(duì)透射光(guāng)能(né‌ ÷₽ng)量随透射光(guāng)頻(pín)率變化(huà)

提供的(de)信息:峰的(de)位置、強度和(hé)形狀,提供功能(né✘βng)團或化(huà)學鍵的(de)特征振動頻(pín)率

紅(hóng)外(wài)光(guāng)譜測試

紅(hóng)外(wài)光(guāng)譜的  δ(de)特征吸收峰對(duì)應分(fēn)子(zǐ)•₩基團,因此可(kě)以根據紅(hóng)外(wài)光(gu↓∑→āng)譜推斷出分(fēn)子(zǐ)結構式。

以下(xià)是(shì)甲醇紅(hóng)外(wài)光(guāng)譜分(fē±£✘n)析過程:

甲醇紅(hóng)外(wài)光(guāng)譜結構分(fēn)析過程

3.核磁共振波譜法NMR

分(fēn)析原理(lǐ):在外(wài)磁場(chǎng)中,具有(yǒu)核磁•$♦矩的(de)原子(zǐ)核,吸收射頻(pín)能(néng)量,産生(shēng)核自(±​zì)旋能(néng)級的(de)躍遷

譜圖的(de)表示方法:吸收光(guāng)能(néng)量随化(huà)學位移的(de)變化(huà)

提供的(de)信息:峰的(de)化(huà)學位移、強度、裂分(fēn)數(shù)和(α"®hé)偶合常數(shù),提供核的(de)數(shù)目、所處化(γσΩ£huà)學環境和(hé)幾何構型的(de)信息

NMR結構

進樣

樣品在磁場(chǎng)中

當外(wài)加射頻(pín)場(chǎng)的(de)頻(λ£∑αpín)率與原子(zǐ)核自(zì)旋進動的(de)頻(pín)率相(xiàng)同時(shí),"δ射頻(pín)場(chǎng)的(de)能(nén">₹g)量才能(néng)被有(yǒu)效地(dì)吸收,因此對(duì)于給定的↓→(de)原子(zǐ)核,在給定的(de)外(w↔σ♣$ài)加磁場(chǎng)中,隻能(néng)吸收特定頻(pín)率射頻(pín)場(ch±→π§ǎng)提供的(de)能(néng)量,由此形成核磁共振信号。

核磁共振及數(shù)據輸出

4.質譜分(fēn)析法MS

分(fēn)析原理(lǐ):分(fēn)子(zǐ)在真空(kōng)中被電(diàn)子(zǐ)轟 $擊,形成離(lí)子(zǐ),通(tōng)過電(diàn)磁場§↑$(chǎng)按不(bù)同m/e的(de)變化(huà)

提供的(de)信息:分(fēn)子(zǐ)離(lí)子(zǐ)及碎片離(lí)子(zǐ)的(de)質量數(shù±•¥≤)及其相(xiàng)對(duì)峰度,提供分(fēn)子(zǐ)量,元素組成及結構的(d≠↕♠e)信息

FT-ICR質譜儀工(gōng)作(zuò♠∞↔​)過程:

離(lí)子(zǐ)産生(shēng)

離(lí)子(zǐ)收集

離(lí)子(zǐ)傳輸

FT-ICR質譜的(de)分(fēn)析器(qì)是(shì)一(yī)個(gè)具有(yǒu)∞λ¥ 均勻(超導)磁場(chǎng)的(de)空(kōng)腔,離(lí)子(zǐ<≤<×)在垂直于磁場(chǎng)的(de)圓形軌道(dào)上(shàng)作(zuò)回旋運動,回旋&±頻(pín)率僅與磁場(chǎng)強度和(hé)離(lí)子(z↑☆¥ǐ)的(de)質荷比有(yǒu)關,因此可(kě)以分(fēn‍•←)離(lí)不(bù)同質荷比的(de)離(lí)子(zǐ),并得(≠₹α de)到(dào)質荷比相(xiàng)關的(de)圖譜。

離(lí)子(zǐ)回旋運動

傅立葉變換

5.氣相(xiàng)色譜法GC

分(fēn)析原理(lǐ):樣品中各組分(fēn)在流動相(xiàng)和(hé)固定相(xiàng)↑γ之間(jiān),由于分(fēn)配系數(shù)不(bù)同而分(fēn)離₽π→(lí)

譜圖的(de)表示方法:柱後流出物(wù)濃度随保留值的(de)變化(huà)

提供的(de)信息:峰的(de)保留值與組分(fēn)熱(rè)力學參數(shù)有(yǒu)關,是(shì"£★∑)定性依據

氣相(xiàng)色譜儀檢測流程:

氣相(xiàng)色譜儀,主要(yào)由三大(dà)部分(fēn)構成:載δ↕¥↓氣、色譜柱、檢測器(qì)。每一(yī)模塊具體(tǐ)工(gōng)作(zuò)流程如✔¥$÷(rú)下(xià)。

注射器(qì)

色譜柱

檢測器(qì)

6.凝膠色譜法GPC

分(fēn)析原理(lǐ):樣品通(tōng)過凝膠柱時(shí),按分(fēn)子(zǐ)的(de)流體(t÷∞ǐ)力學體(tǐ)積不(bù)同進行(xíng)分(fēn)離(lí),大(dà)分(fē₽ ∑n)子(zǐ)先流出

譜圖的(de)表示方法:柱後流出物(wù)濃度随保留值的(de)變化(huà• ¥♣)

提供的(de)信息:高(gāo)聚物(wù)的(de)平均分(&←fēn)子(zǐ)量及其分(fēn)布

根據所用(yòng)凝膠的(de)性質,可(kě)以分(fēn)為(wèi)使用(y∞"±òng)水(shuǐ)溶液的(de)凝膠過濾色譜法(GFC)和(hé)使用(yòng)有(yǒ'• u)機(jī)溶劑的(de)凝膠滲透色譜法(GPC)。

隻依據尺寸大(dà)小(xiǎo)分(fēn)離(>★§‍lí),大(dà)組分(fēn)最先被洗提出

色譜固定相(xiàng)是(shì)多(du↑↓ō)孔性凝膠,隻有(yǒu)直徑小(xiǎo)于孔徑的(de)組分(fēn) ×可(kě)以進入凝膠孔道(dào)。大(dà)組分(fēn)不(bù)能(néng)進入凝膠孔©™洞而被排阻,隻能(néng)沿著(zhe)凝膠粒子(zǐ)之間(∞÷π±jiān)的(de)空(kōng)隙通(tπ↑§ōng)過,因而最大(dà)的(de)組分(≤€fēn)最先被洗提出來(lái)。

直徑小(xiǎo)于孔徑的(de)組分(fēn)進入凝膠孔道(dào)≥δλ•

小(xiǎo)組分(fēn)可(kě)進入大(dà)部分(fēn)凝膠孔洞,在色譜柱中滞留時(s£®λhí)間(jiān)長(cháng),會(huì)更慢(màn)♦&∞♥被洗提出來(lái)。溶劑分(fēn)子(™→¥ zǐ)因體(tǐ)積最小(xiǎo),可(kě)進入所有(yǒu)凝♠$膠孔洞,因而是(shì)最後從(cóng)色譜柱中洗提出。這(zh∞→®πè)也(yě)是(shì)與其他(tā)色譜法最大&÷¥¥(dà)的(de)不(bù)同。

依據尺寸差異,樣品組分(fēn)分(fēn)離(lí)

體(tǐ)積排阻色譜法适用(yòng)于對(↕↑duì)未知(zhī)樣品的(de)探索分(fēn)離(lí)。凝膠過濾色譜适π↑∏于分(fēn)析水(shuǐ)溶液中的(de)β ±•多(duō)肽、蛋白(bái)質、生(shēng)物(wù)酶等生(shēng↓Ω)物(wù)分(fēn)子(zǐ);凝膠滲透色譜主要(yào)用(yòng)于高(gāo)≈π≈聚物(wù)(如(rú)聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚氯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯)的→"&(de)分(fēn)子(zǐ)量測定。

7.熱(rè)重法TG

分(fēn)析原理(lǐ):在控溫環境中,樣品重量随溫度或時(shí)間(jiān)變化(huà)

譜圖的(de)表示方法:樣品的(de)重量分(fēn)數(shù)随溫度或時(shí)間(jiā∞φn)的(de)變化(huà)曲線

提供的(de)信息:曲線陡降處為(wèi)樣品失重區(qū),平台區(qū)為(wèi)樣₹×↑₹品的(de)熱(rè)穩定區(qū)

自(zì)動進樣過程

熱(rè)重分(fēn)析過程

8.靜(jìng)态熱(rè)-力分(fēn)析TMA

分(fēn)析原理(lǐ):樣品在恒力作(zuò)用(yòng)下(xià)産生(shēng)的(de)形變随₹‍∑溫度或時(shí)間(jiān)變化(huà)

譜圖的(de)表示方法:樣品形變值随溫度或時(shí)間(jiān)變化(huà)曲線

提供的(de)信息:熱(rè)轉變溫度和(hé)力學狀态

TMA進樣及分(fēn)析

9.透射電(diàn)子(zǐ)顯微(wēi)技(jì)術(shù)TEM

分(fēn)析原理(lǐ):高(gāo)能(néng)電(diàn)子(zǐ)束穿透試樣時(sh¶Ωí)發生(shēng)散射、吸收、幹涉和(hé)衍射,使得(de)在相(xiàng)平面形成® •±襯度,顯示出圖象

譜圖的(de)表示方法:質厚襯度象、明(míng)場(chǎng)衍襯Ω‌♦象、暗(àn)場(chǎng)衍襯象、晶格條紋象、和(hé)分(fēn)子(zǐ)象

提供的(de)信息:晶體(tǐ)形貌、分(fēn)子(zǐ)量分(fēn)布、微(wēi)孔尺寸分☆ •'(fēn)布、多(duō)相(xiàng)結構和(hé)晶格與缺陷等

TEM工(gōng)作(zuò)圖

TEM成像過程

STEM成像不(bù)同于平行(xíng)電(diàn)子(zǐ)束的(de)TEM,它是(≤δ•shì)利用(yòng)聚集的(de)電(diàn)子(zǐ)束在樣品上(shàng)掃描來₹ γ✘(lái)完成的(de),與SEM不(bù)同之處在于探測器(qì)置于試樣下(xià)•≤方,探測器(qì)接收透射電(diàn)子∏×(zǐ)束流或彈性散射電(diàn)子(zǐ)束流,經放(fàng)大(dà)後在熒光(guā↓>"ng)屏上(shàng)顯示出明(míng)場(chǎng)像和σ∞<♥(hé)暗(àn)場(chǎng)像。

STEM分(fēn)析圖

入射電(diàn)子(zǐ)束照(zhào)射試樣表面發生(shēng)彈性散射,一(yī)部分¥δ☆∏(fēn)電(diàn)子(zǐ)所損失能(néng)量值是(shì)₩≠樣品中某個(gè)元素的(de)特征值,由此♣≈獲得(de)能(néng)量損失譜(EELS),利用(yòng)₩¶§EELS可(kě)以對(duì)薄試樣微(wēi)區(qū)元素組成<& 、化(huà)學鍵及電(diàn)子(zǐ)結構等進行(xín€ "g)分(fēn)析。

EELS原理(lǐ)圖

10.掃描電(diàn)子(zǐ)顯微(wēi)技(j♦Ω≠φì)術(shù)SEM

分(fēn)析原理(lǐ):用(yòng)電(diàn)子(zǐ)技(jì)術(shù)檢測高 ≤(gāo)能(néng)電(diàn)子(zǐ)束與樣品作(zuò)用(yòng)時(shλ©☆í)産生(shēng)二次電(diàn)子(zǐ)、背散射電(diàn§✔)子(zǐ)、吸收電(diàn)子(zǐ)、X射線等并放(fàng)大(dà)成象

譜圖的(de)表示方法:背散射象、二次電(diàn)子(zǐ)象、吸收電(diàn)γ™₹÷流象、元素的(de)線分(fēn)布和(hé)面分(f•♦ēn)布等

提供的(de)信息:斷口形貌、表面顯微(wēi)結構、薄膜內(nèi)部的(d↓♠↓↓e)顯微(wēi)結構、微(wēi)區(₽€≤¶qū)元素分(fēn)析與定量元素分(fēn)析等

SEM工(gōng)作(zuò)圖

入射電(diàn)子(zǐ)與樣品中原子(zǐ)的(de)價↕γ​電(diàn)子(zǐ)發生(shēng)非彈性散射作(zuò)用(↑↑☆yòng)而損失的(de)那(nà)部分(fēn)能(néng)量(30~50eV)₹↔•ε激發核外(wài)電(diàn)子(zǐ)ββ÷脫離(lí)原子(zǐ),能(néng)量大(d∏↕à)于材料逸出功的(de)價電(diàn)子(zǐ)從(cóng)樣品®✘<₽表面逸出成為(wèi)真空(kōng)中的(de)自(zì)由電(diànλ®φ)子(zǐ),此即二次電(diàn)子(zǐ)。

電(diàn)子(zǐ)發射圖

二次電(diàn)子(zǐ)探測圖

二次電(diàn)子(zǐ)試樣表面狀态非常敏感,能(néng)有(yǒu)效↔€β顯示試樣表面的(de)微(wēi)觀形貌,分(fē​£≥↑n)辨率可(kě)達5~10nm。

二次電(diàn)子(zǐ)掃描成像

入射電(diàn)子(zǐ)達到(dào)離(lí)核很(hěn™ ™©)近(jìn)的(de)地(dì)方被反射↓‌γ←,沒有(yǒu)能(néng)量損失;既包括與原子(zǐ)核作(zuò​∏)用(yòng)而形成的(de)彈性背散射電(diàn)子(zǐ),又(¶←yòu)包括與樣品核外(wài)電(diàn)子(zǐ)作(zuò)用(yòng)而形‍π成的(de)非彈性背散射電(diàn)子(zǐ)。

背散射電(diàn)子(zǐ)探測圖

用(yòng)背反射信号進行(xíng)形貌分(fēn)析時(s ÷∑ hí),其分(fēn)辨率遠(yuǎn)比二次電(diàn)子(zǐ)低(dī)。§≤↔可(kě)根據背散射電(diàn)子(zǐ)像的(de)亮(liàng)暗(àn)程度,判别≤₹♦&出相(xiàng)應區(qū)域的(de)原子(β &↔zǐ)序數(shù)的(de)相(xiàng)對(duì)大(dà)小(xiǎo ≠α ),由此可(kě)對(duì)金(jīn)屬及其合金(jīn)€₩∑的(de)顯微(wēi)組織進行(xíng)成分(fēn)分(fēn)析。

EBSD成像過程

11.原子(zǐ)力顯微(wēi)鏡AFM

分(fēn)析原理(lǐ):将一(yī)個(gè)對(duì)微(wēi)弱力極敏感的(de)微(wēi)懸臂✔">一(yī)端固定,另一(yī)端有(yǒu)一(yī)微(wēi)小(xiǎo)的(↔→↑ de)針尖,由于針尖尖端原子(zǐ)與樣品表面原子(zǐ)間(jiān)存在極微(wēi§✔)弱的(de)作(zuò)用(yòng)力,通₩'∑(tōng)過在掃描時(shí)控制(zhì)這(zhè)種力的(de)恒定,帶ε< 有(yǒu)針尖的(de)微(wēi)懸臂将在垂直于樣品的(de)表面方向起伏運動。從€≈§σ(cóng)而可(kě)以獲得(de)樣品表φ₽±面形貌的(de)信息

譜圖的(de)表示方法:微(wēi)懸臂對(duì)應于掃描各點的(de)位置變化(huà)

提供的(de)信息:樣品表面形貌的(de)信息

AFM原理(lǐ):針尖與表面原子(zǐ)相(Ω≈₹xiàng)互作(zuò)用(yòng)

AFM的(de)掃描模式有(yǒu)接觸模式和(hé)非接觸模式,接觸‌ ‍式利用(yòng)原子(zǐ)之間(jiān)的(d≈£γφe)排斥力的(de)變化(huà)而産生(shēng)樣品表面輪廓;非接觸式利用(yòn✘←g)原子(zǐ)之間(jiān)的(de)吸引力的π™€(de)變化(huà)而産生(shēng)樣品表面輪±​ ×廓。

接觸模式

12.掃描隧道(dào)顯微(wēi)鏡STM

分(fēn)析原理(lǐ):隧道(dào)電(diàn)流強度對(duì)針尖和(hé)樣品之間(jiān)的(de)距離Ω×£(lí)有(yǒu)著(zhe)指數(shù)依賴關系,根據隧道(dào)電(diàn)流的☆∞(de)變化(huà),我們可(kě)以得(de)到(dào)樣品表面微(wēi)小(xi€>αǎo)的(de)起伏變化(huà)信息,如(rú)果同時(shí)對(duì)x-y方向進行(xíα>ng)掃描,就(jiù)可(kě)以直接得(de®>₹>)到(dào)三維的(de)樣品表面形貌圖,這<>&φ(zhè)就(jiù)是(shì)掃描隧道(♣←dào)顯微(wēi)鏡的(de)工(gōng)作(zuò)原理(lǐ)。

譜圖的(de)表示方法:探針随樣品表面形貌變化(huà)而引起隧道(dào)電(diàn)流的(de)波動

提供的(de)信息:軟件(jiàn)處理(lǐ)後可(kě)輸出三維的(de)樣品表面形貌♥∞​​圖

探針

隧道(dào)電(diàn)流對(duì)針尖與樣品表面之間(jiān)的(de​✔γ®)距離(lí)極為(wèi)敏感,距離(lí)減小(xiǎo)0.1nm,隧道↓✔¶(dào)電(diàn)流就(jiù)會(huì)增加一(yī)個(gè)數(shù)量←Ω¶級。

隧道(dào)電(diàn)流

針尖在樣品表面掃描時(shí),即使表面隻有(yǒu)原子(zǐ)尺度的(de)起伏,₹×✘也(yě)将通(tōng)過隧道(dào)電(diàn)流顯示出來(lái),再✘≤±利用(yòng)計(jì)算(suàn)機(jī)的(de)測量軟件(jiàn)和(hé)數(shε® ù)據處理(lǐ)軟件(jiàn)将得(de)到(dà‍εo)的(de)信息處理(lǐ)成為(wèi)三維♥≠圖像在屏幕上(shàng)顯示出來(lái)。

13.原子(zǐ)吸收光(guāng)譜AAS

分(fēn)析原理(lǐ):通(tōng)過原子(zǐ)化(huà)器(qì÷☆)将待測試樣原子(zǐ)化(huà),待測原子(zǐ)吸收待測元素空(kōng)心陰極燈的↓∑≈×(de)光(guāng),從(cóng)而使用(yòng)檢測器(qΩ∑ì)檢測到(dào)的(de)能(néng)量變低(dī),從(cón← ←©g)而得(de)到(dào)吸光(guāng∏©)度。吸光(guāng)度與待測元素的(de)濃度成正比。

待測試樣原子(zǐ)化(huà)

原子(zǐ)吸收及鑒定

14.電(diàn)感耦合高(gāo)頻(pín)等離(lí)子(zǐ)體(tǐ)Iπ✘&CP

分(fēn)析原理(lǐ):利用(yòng)氩等離(lí)子(zǐ)體(tǐ)産生(shēng)的±∏(de)高(gāo)溫使用(yòng)試樣完全分(fēn)解形成激發态的(★ de)原子(zǐ)和(hé)離(lí)子(zǐ),由于激發态的(de)原子(δσ± zǐ)和(hé)離(lí)子(zǐ)不(bù)穩定,外(wài)層電(dià₹ n)子(zǐ)會(huì)從(cóng)激發态向低(dī)的(de)能(néng)級躍φ®∞£遷,因此發射出特征的(de)譜線。通(tōng)過光(guān₽✘g)栅等分(fēn)光(guāng)後,利用(yòng)檢測器(qì)檢測特定波長(cháng)∞≠γ★的(de)強度,光(guāng)的(de)±&強度與待測元素濃度成正比。

Icp設備構造

形成激發态的(de)原子(zǐ)和(hé)離(lí±σ¥β)子(zǐ)

檢測器(qì)檢測

15.X射線衍射XRD

分(fēn)析原理(lǐ):X射線是(shì)原子(zǐ)內(nèi)層電(diàn)子(z ↓©ǐ)在高(gāo)速運動電(diàn)子(zǐ)的(de)轟擊下" ‍ε(xià)躍遷而産生(shēng)的(d★ e)光(guāng)輻射,主要(yào)有(yǒu)連≤§續X射線和(hé)特征X射線兩種。晶體(tǐ)可(kě)被用£←£↔(yòng)作(zuò)X光(guāng)的(de)光(guāng)栅,這(zhè)些(xiē)γ&↔¶很(hěn)大(dà)數(shù)目的(de)原子(z←‍★ ǐ)或離(lí)子(zǐ)/分(fēn)子(↑←£σzǐ)所産生(shēng)的(de)相(xiàng)幹散射将會¶↑≤(huì)發生(shēng)光(guāng)的(de)幹涉作(zuò)用(↑←yòng),從(cóng)而影(yǐng≥">✔)響散射的(de)X射線的(de)強度增強或減弱。由于大(dà)量原子(zǐ)散射波的(de)疊加γ♠,互相(xiàng)幹涉而産生(shēng®≥​)最大(dà)強度的(de)光(guāng)束稱為(wèi)X射線的(de)衍$<♦射線。

滿足衍射條件(jiàn),可(kě)應用(yòng)布拉格公式:2ds×∞ βinθ=λ

應用(yòng)已知(zhī)波長(cháng)的(de)§☆X射線來(lái)測量θ角,從(cóng ♣')而計(jì)算(suàn)出晶面間(jiān)距d£©↕★,這(zhè)是(shì)用(yòng)于X射線結構分(fēn)析;另一(yī‌‍)個(gè)是(shì)應用(yòng)已知(&✘‍'zhī)d的(de)晶體(tǐ)來(lái)測量θ角,從(cóng)而計(jì≤>'≈)算(suàn)出特征X射線的(de)波長(cháng),進而可(kě)在已有(yǒu)≠σ資料查出試樣中所含的(de)元素。

以下(xià)是(shì)使用(yòng)XRD确定未知(zhī)晶體(tǐ)結構分(f≈≥ēn)析過程:

XRD确定未知(zhī)晶體(tǐ)結構分(fēn)析過₽×↓程

16.納米顆粒追蹤表征

分(fēn)析原理(lǐ):納米顆粒追蹤分(fēn)析技(jì)術(sh​♠ù), 利用(yòng)光(guāng)散射原理(lǐ),不(bù)同粒徑‌​Ω顆粒的(de)散射光(guāng)成像在CCD上(shàng)的(de)亮(liàng)度↔↕☆和(hé)光(guāng)斑大(dà)小< ←Ω(xiǎo)不(bù)一(yī)樣,依此來(lái)确定粒 πγπ徑尺寸; 合适濃度的(de)樣品均質分(fēn)散在液體(tǐ)中可(kě)≠σ±以得(de)出粒徑尺寸分(fēn)布和(hé)顆粒濃度信息, 準确度非常高(gāo)★♠♠ 。

不(bù)同粒徑顆粒的(de)散射光(guāng)成像在CCD

實際樣品測試效果

不(bù)同技(jì)術(shù)的(de)數(shù)據對(duì)♠​比

來(lái)源:化(huà)工(gōng)人(rén)club

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