科(kē)教儀器(qì)實驗室儀器(qì)操作(zuò)原理✔∑€∑(lǐ)，動态演示！

　

紫外(wài)分(fēn)光(guāng)光(guān≤ ∏​g)譜UV

分(fēn)析原理(lǐ)：吸收紫外(wài)光(guāng)能(néng)量，引起分(f♠♣ēn)子(zǐ)中電(diàn)子(zǐ)能(néng)級的(de)躍遷

譜圖的(de)表示方法：相(xiàng)對(duì)吸收光(guāng)能(néng)量随吸收光↕✔✔(guāng)波長(cháng)的(de)™Ω變化(huà)

提供的(de)信息：吸收峰的(de)位置、強度和(hé)形狀，提供分(fēn)子(zǐ)中不(bù↕∑δ)同電(diàn)子(zǐ)結構的(de)™®✔信息

物(wù)質分(fēn)子(zǐ)吸收一(y↓​ī)定的(de)波長(cháng)的(de)紫外(wài)光(guā♦∏ng)時(shí)，分(fēn)子(zǐ)中的(de)價電(diàn)子(zǐ)從(cóng)低₽≤¥(dī)能(néng)級躍遷到(dào)高(gā÷ ↕↔o)能(néng)級而産生(shēng)的(d←δ♠←e)吸收光(guāng)譜較紫外(wài)光(guā←•€σng)譜。紫光(guāng)吸收光(guāng)譜主要(yào)用(yòng)于測定共轭ε£分(fēn)子(zǐ)、組分(fēn)及平衡常數(shù)。

光(guāng)線傳輸

光(guāng)衍射

探測

數(shù)據輸出

紅(hóng)外(wài)吸收光(guāng)譜♥σ法IR

分(fēn)析原理(lǐ)：吸收紅(hóng)外(wài)光(guāng)能(néng)量，∏₩引起具有(yǒu)偶極矩變化(huà)的(de)分(fēn)子(zγ♠≈ǐ)的(de)振動、轉動能(néng)級躍遷

譜圖的(de)表示方法：相(xiàng)對(duì)透射光(guāng)能(néng)量随透射光(gu₩₹āng)頻(pín)率變化(huà)

提供的(de)信息：峰的(de)位置、強度和(hé)形狀，提供功能(néng)團或化(huà)學鍵的(de$∏λ)特征振動頻(pín)率

紅(hóng)外(wài)光(guāng)譜測試

紅(hóng)外(wài)光(guāng)譜的(de)特征吸收峰對(duìβ♦)應分(fēn)子(zǐ)基團，因此可(kě)以根據紅(hóng)外(wà☆α÷i)光(guāng)譜推斷出分(fēn)子(zǐ)結構式。

以下(xià)是(shì)甲醇紅(hóng)外(wài)光(∏☆₹guāng)譜分(fēn)析過程：

甲醇紅(hóng)外(wài)光(guāng)譜結構分(fēn)析✔>≤♣過程

核磁共振波譜法NMR

分(fēn)析原理(lǐ)：在外(wài)磁場(chǎng)中，具有(yǒu)核磁矩的(de)原子(zǐ)核，吸收射頻>→σ(pín)能(néng)量，産生(shēng)核自(zì)旋能(néng)級的(de★¥π)躍遷

譜圖的(de)表示方法：吸收光(guāng)能(néng)量随化(huà)學位移的(de)變化(huà)

提供的(de)信息：峰的(de)化(huà)學位移、強度、裂分(fēn)數(shù)和(hé)偶合常數(shù)& ₽，提供核的(de)數(shù)目、所處化φ↕₩​(huà)學環境和(hé)幾何構型的(de)信息

NMR結構

進樣

樣品在磁場(chǎng)中

當外(wài)加射頻(pín)場(chǎng)的(de)頻(pín)率與原子(zǐφ• )核自(zì)旋進動的(de)頻(pín)率相(xiàng)同時(shí)，射頻(p✘©ín)場(chǎng)的(de)能(néng)量才能(néng)被有(yǒu)β→效地(dì)吸收，因此對(duì)于給定的(de)原'↑子(zǐ)核，在給定的(de)外(wài)加磁場(chǎng)中，隻能(néng)&≤≈吸收特定頻(pín)率射頻(pín)場(chǎng)提供的(de)能(néng)量，由≤✘&↕此形成核磁共振信号。

核磁共振及數(shù)據輸出

質譜分(fēn)析法MS

分(fēn)析原理(lǐ)：分(fēn)子(zǐ)在真空(kōng)中被電(diàn)子(zǐ)轟擊，形成離(→•≠∞lí)子(zǐ)，通(tōng)過電(diàn)磁場(chǎng)按不←↓☆(bù)同m/e的(de)變化(huà)

提供的(de)信息：分(fēn)子(zǐ)離(lí)子(zǐ)及碎片離(lí)←∞子(zǐ)的(de)質量數(shù)及其相(xiàng)對¶‍★(duì)峰度，提供分(fēn)子(zǐ)量，元素組成及結構的(de)信息

FT-ICR質譜儀工(gōng)作(zuò)過程：

離(lí)子(zǐ)産生(shēng)

離(lí)子(zǐ)收集

離(lí)子(zǐ)傳輸

FT-ICR質譜的(de)分(fēn)析器(qì)是(shì∏ γ↔)一(yī)個(gè)具有(yǒu)均勻(超導✔←♠←)磁場(chǎng)的(de)空(kōng)Ω₩腔，離(lí)子(zǐ)在垂直于磁場(chǎng)的(de)圓形軌道(dào)上(shàn ∑ g)作(zuò)回旋運動，回旋頻(pín)率僅與磁場(chǎng)強度和(hé™$β)離(lí)子(zǐ)的(de)質荷比有(yǒu)關，因此可(kě)以分(fēn)離(lσ®₽€í)不(bù)同質荷比的(de)離(lí)子(zǐ)，并得(de)到(¶✔<₩dào)質荷比相(xiàng)關的(de)圖譜。

離(lí)子(zǐ)回旋運動

傅立葉變換

氣相(xiàng)色譜法GC

分(fēn)析原理(lǐ)：樣品中各組分(fēn)在流動相(xiànγ≥♣g)和(hé)固定相(xiàng)之間(jiān)，由于分(fēε↑↑n)配系數(shù)不(bù)同而分(fēn)離(lí)

譜圖的(de)表示方法：柱後流出物(wù)濃度随保留值的(de)變化(huà)

提供的(de)信息：峰的(de)保留值與組分(fēn)熱(rè)力學參數(shù)有(&Ω₩•yǒu)關，是(shì)定性依據

氣相(xiàng)色譜儀檢測流程:

氣相(xiàng)色譜儀，主要(yào)由三大(dà)部分(fēn)構成：載 <氣、色譜柱、檢測器(qì)。每一(yī)模塊具體(tǐ)工(gōng)作(zuò)流程如(rú)下÷₽¥(xià)。

注射器(qì)

色譜柱

檢測器(qì)

高(gāo)效液相(xiàng)色譜法HPLC

檢測流程：

凝膠色譜法GPC

分(fēn)析原理(lǐ)：樣品通(tōng)過凝膠柱時(shí)，按分(fēn)子€ε(zǐ)的(de)流體(tǐ)力學體(tǐ)積不(bù)同進行(xíng)分(f×≠ēn)離(lí)，大(dà)分(fēn)子(zǐ)先流出

譜圖的(de)表示方法：柱後流出物(wù)濃度随保留值的(de)變化(huà)

提供的(de)信息：高(gāo)聚物(wù)的(de)平均分§←π♦(fēn)子(zǐ)量及其分(fēn)布

根據所用(yòng)凝膠的(de)性質，可(kě)以分(fēק$ n)為(wèi)使用(yòng)水(shuǐ)溶液的(d∑₩☆☆e)凝膠過濾色譜法(GFC)和(hé)使用(yòng)有(y&®✔±ǒu)機(jī)溶劑的(de)凝膠滲透色譜法(GPC)。

隻依據尺寸大(dà)小(xiǎo)分(fēn)離(lí)，大(dà)組分(fēn)最先被洗提出δ∞±λ

色譜固定相(xiàng)是(shì)多(duō)孔性凝膠，隻有(yǒu)直徑小(xiǎo)于孔徑的€←(de)組分(fēn)可(kě)以進入凝膠孔道(dào)。大(dà)組分(fēn)不←≤♠φ(bù)能(néng)進入凝膠孔洞而被排阻，隻能(néng)沿著(zhe)凝膠粒子(zǐ)之間§&∞₩(jiān)的(de)空(kōng)隙通(tōn'↑↓™g)過，因而最大(dà)的(de)組分(fēn)最先被洗提出↔‍來(lái)。

直徑小(xiǎo)于孔徑的(de)組分(fēn)進入凝膠孔道(α←dào)

小(xiǎo)組分(fēn)可(kě)進¥♥♥入大(dà)部分(fēn)凝膠孔洞，在色譜柱中滞留時(shí)間β€₩₽(jiān)長(cháng)，會(huì)更慢(màn)被洗提出來(lái)。溶劑分(fēn)子(‍βzǐ)因體(tǐ)積最小(xiǎo)，可(kě)進入所有(yǒu≤πΩ≠)凝膠孔洞，因而是(shì)最後從(cóng)色譜柱中洗提出。這(zhè)也(yě)是φ✘(shì)與其他(tā)色譜法最大(dà)的(de)不(b×≈ ×ù)同。

依據尺寸差異，樣品組分(fēn)分(fēn)離(lí)σε↔

體(tǐ)積排阻色譜法适用(yòng)于對(duì)未知(zhī)樣品的(γ"£de)探索分(fēn)離(lí)。凝膠過濾色譜适于分(fēβ£n)析水(shuǐ)溶液中的(de)多(duō)肽、蛋白(bái)質、生(shēng)物(wù∑ε≥)酶等生(shēng)物(wù)分(fēn)子(zǐ);凝膠滲透色譜主要γ✘  (yào)用(yòng)于高(gāo)聚物(wù)(如(rú)聚乙烯↓≠、聚丙烯、聚苯乙烯、聚氯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯)的(de)分(®♣fēn)子(zǐ)量測定。

熱(rè)重法TG

分(fēn)析原理(lǐ)：在控溫環境中，樣品重量随溫度或時(shí)間(jiān)變化(huγ‍©'à)

譜圖的(de)表示方法：樣品的(de)重量分(fēn)數(shù)随溫度或時(shí)間(j™≤₩≤iān)的(de)變化(huà)曲線

提供的(de)信息：曲線陡降處為(wèi)樣品失重區(qū)，平台區(qū)為(wèi)樣品的(de€≤↓←)熱(rè)穩定區(qū)

自(zì)動進樣過程

熱(rè)重分(fēn)析過程

靜(jìng)态熱(rè)-力分(fēn)析TMA

分(fēn)析原理(lǐ)：樣品在恒力作(zuò)用(yòng)下(xià)産生(shēng)的(de)形變 ‌随溫度或時(shí)間(jiān)變化(huà)

譜圖的(de)表示方法：樣品形變值随溫度或時(shí)間(jiān)變化(huà)曲線→< ×

提供的(de)信息：熱(rè)轉變溫度和(hé)力學狀态

TMA進樣及分(fēn)析

透射電(diàn)子(zǐ)顯微(wēi)技(jì)術(shù)TEM

分(fēn)析原理(lǐ)：高(gāo)能(néng)電(diàn)子(zǐ)束穿透試樣時 ♥≠(shí)發生(shēng)散射、吸收、幹涉和(hé)衍射，使得(d>Ω e)在相(xiàng)平面形成襯度，顯示出圖象

譜圖的(de)表示方法：質厚襯度象、明(míng)場(chǎng)衍襯象、暗(àn)場π$φ(chǎng)衍襯象、晶格條紋象、和(hé)分‍∏∏✔(fēn)子(zǐ)象

提供的(de)信息：晶體(tǐ)形貌、分(fēn)子(zǐ)量分(fēn)±×≤∏布、微(wēi)孔尺寸分(fēn)布、多(duō)相(xiàng)結構和(hé)晶格與缺陷等•π★≥

TEM工(gōng)作(zuò)圖

TEM成像過程

STEM成像不(bù)同于平行(xíng)電(diàn)子(zǐ)束的(de)T​↕₽≈EM，它是(shì)利用(yòng)聚集的(÷±de)電(diàn)子(zǐ)束在樣品上(shàππ≠εng)掃描來(lái)完成的(de)，與SEM不(bù)同之處在于探測器(qì)置于試 ₽ ε樣下(xià)方，探測器(qì)接收透射¥↓&電(diàn)子(zǐ)束流或彈性散射電δ★(diàn)子(zǐ)束流，經放(fàng)大(dà)後在熒光(guāng)屏上(sh☆‌≤àng)顯示出明(míng)場(chǎng)像和(hé)暗÷≤÷>(àn)場(chǎng)像。

STEM分(fēn)析圖

入射電(diàn)子(zǐ)束照(zhào)射試樣表面發生ε'£(shēng)彈性散射，一(yī)部分(fēn)電(diàn)子 ‌(zǐ)所損失能(néng)量值是(shì)樣品中某個(gè)元素的(de)特征值，由此獲★δ↔€得(de)能(néng)量損失譜(EELS)，利用(yòng)EELS可(kě)以對'&α(duì)薄試樣微(wēi)區(qū)元素組成、化(huà)學鍵及電(₽✘≤diàn)子(zǐ)結構等進行(xíng)分(fēn)析。

EELS原理(lǐ)圖

掃描電(diàn)子(zǐ)顯微(wēi)技(jì)術(shù)SEM

分(fēn)析原理(lǐ)：用(yòng)電(diàn)子(zǐ)技(jì)術(shù)檢測高(gāo)能(n•≤&‍éng)電(diàn)子(zǐ)束與樣品作(zuò)用(yòng)時(shí)産生(sh♠↓πγēng)二次電(diàn)子(zǐ)、背散射電(diàn)子(zǐ)、吸收電(diα♠₩àn)子(zǐ)、X射線等并放(fàng)大(dà)成象

譜圖的(de)表示方法：背散射象、二次電(diàn)子(zǐ)象、吸收電(diàn)流象、元素的<₹<∞(de)線分(fēn)布和(hé)面分(fēn)布等

提供的(de)信息：斷口形貌、表面顯微(wēi)結構、薄膜內(nè∑₽♥™i)部的(de)顯微(wēi)結構、微(wēi)區(qū)元素分(fēn)析與定量元素分(fēn☆π₹)析等

SEM工(gōng)作(zuò)圖

入射電(diàn)子(zǐ)與樣品中原子(zǐ)的(de)價電(dià∑± ♥n)子(zǐ)發生(shēng)非彈性散射作(zuò)用(yòng)而損失的(de)那(β♣®•nà)部分(fēn)能(néng)量(30～50eV)激發核外(wài)電(diàn)≥α子(zǐ)脫離(lí)原子(zǐ)，能(néng)量大(dà)于材料逸出♥≥功的(de)價電(diàn)子(zǐ)從(cóng)樣品表面♦₹ σ逸出成為(wèi)真空(kōng)中的(de)自(zì)由電(diàn)子(✘ε§&zǐ)，此即二次電(diàn)子(zǐ)。>π

電(diàn)子(zǐ)發射圖

二次電(diàn)子(zǐ)探測圖

二次電(diàn)子(zǐ)試樣表面狀态非常敏感，能(néng)有(yǒu)效顯示試樣表↔<₹面的(de)微(wēi)觀形貌，分(fēn)辨率可(kě)達5～10nm。

二次電(diàn)子(zǐ)掃描成像

入射電(diàn)子(zǐ)達到(dào)離(lí)π±核很(hěn)近(jìn)的(de)地(dì)方被反射，沒有(yǒu)能(néng)量損失;↓₽ 既包括與原子(zǐ)核作(zuò)用(yò✘ •₩ng)而形成的(de)彈性背散射電(diàn)子(zǐ)，又(&♠yòu)包括與樣品核外(wài)電(diàn)子(zǐ)作(zuò)用(yòng)而形成§≤的(de)非彈性背散射電(diàn)子(zǐ)。

背散射電(diàn)子(zǐ)探測圖

用(yòng)背反射信号進行(xíng)形貌分(fēn€₩✔)析時(shí)，其分(fēn)辨率遠(yuǎn)比二次電'☆&(diàn)子(zǐ)低(dī)。可(kě)根據背散射電(diàn)子(zǐ€&₩≈)像的(de)亮(liàng)暗(àn)程度，判别出相(xiàng)應區(q  ☆​ū)域的(de)原子(zǐ)序數(shù)的(de)相(xiàng)對(duì)大(d ←<à)小(xiǎo)，由此可(kě)對(duì)金(jīn)屬及其合£©金(jīn)的(de)顯微(wēi)組織進行(xíng)成分(fēn)分(fēnα↑λ)析。

EBSD成像過程

原子(zǐ)力顯微(wēi)鏡AFM

分(fēn)析原理(lǐ)：将一(yī)個(gè)對(duì)微(wēi)弱力極敏感的(de)‍¶λ∏微(wēi)懸臂一(yī)端固定，另一(yī)端有(yǒu)一(yī)微(wēi)小∞$≠$(xiǎo)的(de)針尖，由于針尖尖端原子(zǐ)與樣品π♦表面原子(zǐ)間(jiān)存在極微(wēi)弱的(de)作(zuò)用(yòng)力 ‍‌✘，通(tōng)過在掃描時(shí)控制(zhì)這(zhè)種力的(de)恒定，帶有(yǒu)☆☆​針尖的(de)微(wēi)懸臂将在垂直于樣品的(de)表面方向起伏運動。從(←•←cóng)而可(kě)以獲得(de)樣品表面形貌的(de)信息

譜圖的(de)表示方法：微(wēi)懸臂對(duì)應于掃描各點的(de)位置變化(huà)

提供的(de)信息：樣品表面形貌的(de)信息

AFM原理(lǐ)：針尖與表面原子(zǐ)相(xiàng)互作(zuò)用(→Ω>yòng)

AFM的(de)掃描模式有(yǒu)接觸模式和(hé)非接觸模式，接觸式利用(yòngλ₹≈✘)原子(zǐ)之間(jiān)的(de)排斥力的(de)變化(huà)而産生(₩π"±shēng)樣品表面輪廓;非接觸式利用(yòng)原子(zǐ)之間(jiβ Ω$ān)的(de)吸引力的(de)變化(huà)♠§✘而産生(shēng)樣品表面輪廓。

接觸模式

掃描隧道(dào)顯微(wēi)鏡STM

分(fēn)析原理(lǐ)：隧道(dào)電(diàn)流強度對(d‍∏uì)針尖和(hé)樣品之間(jiān)的(de)距離(lí)有&¶(yǒu)著(zhe)指數(shù)依賴關系，根據隧道(dào)電(diàn)流∞δ的(de)變化(huà)，我們可(kě)以得(de)到(dào)樣品表面微(wēi)→ελ×小(xiǎo)的(de)起伏變化(huà) ​信息，如(rú)果同時(shí)對(duì)x-y方向進行(x‌δ±♠íng)掃描，就(jiù)可(kě)以直接得(de)到(dào)三維的(de)♥∞​¶樣品表面形貌圖，這(zhè)就(jiù)是(shì)掃描隧道(dào)顯微(™ ↓ wēi)鏡的(de)工(gōng)作(zuò)原理(lǐ)。

譜圖的(de)表示方法：探針随樣品表面形貌變化(huà)而引起隧$∑道(dào)電(diàn)流的(de)波動

提供的(de)信息：軟件(jiàn)處理(lǐ)後可(kě)輸出三維的(de)©£ε樣品表面形貌圖

探針

隧道(dào)電(diàn)流對(duì)針尖與樣品表面之間(jiān)的(de)距≈‌↓π離(lí)極為(wèi)敏感，距離(lí)減α¶♦小(xiǎo)0.1nm，隧道(dào)電(diàn)流就(jiù)®σ↑會(huì)增加一(yī)個(gè)數(shù)量級。

隧道(dào)電(diàn)流

針尖在樣品表面掃描時(shí)，即使表面隻有(yǒu)原子(zǐ)尺度的(de)起伏，也(≤ ​÷yě)将通(tōng)過隧道(dào)電(diàn)流顯示出來(lái)，再利用(∑→‍yòng)計(jì)算(suàn)機(jī)的(de)測量軟件(jiàn)和(hé)數(shε ↕ù)據處理(lǐ)軟件(jiàn)将得(de)到(dào)的(de)信息處理(lǐ)成為(w↑☆♦₹èi)三維圖像在屏幕上(shàng)顯示出來(lái)。

原子(zǐ)吸收光(guāng)譜AAS

分(fēn)析原理(lǐ)：通(tōng)過原子(zǐ)化(huà)器(qì)将待測試樣原子(zǐ)化(huà)，待測原子("λzǐ)吸收待測元素空(kōng)心陰極燈的(de)光(guāng)，從(cóng)而γ≈∑使用(yòng)檢測器(qì)檢測到(dào)的(de)能(néng)量變低(dī)，從(có♥≈∑ng)而得(de)到(dào)吸光(gu‍ ÷āng)度。吸光(guāng)度與待測元素的(de)濃≥ ​✘度成正比。

待測試樣原子(zǐ)化(huà)

原子(zǐ)吸收及鑒定

電(diàn)感耦合高(gāo)頻(pín)等離(lí)子(zǐ)體(tǐ)IC÷ €★P

分(fēn)析原理(lǐ)：利用(yòng)氩等離(lí)子(zǐ)體(tǐ)産生(shēng)的(de)σ®∞高(gāo)溫使用(yòng)試樣完全分(fēn)解形成激發态Ω✔的(de)原子(zǐ)和(hé)離(lí)子(zǐ)，由于激發态的(de)原子(z₽←¥ǐ)和(hé)離(lí)子(zǐ)不(bù)穩定，外(wài)層電(diàn)子(<♣zǐ)會(huì)從(cóng)激發态向低(dī)的(de)能(nén©π★g)級躍遷，因此發射出特征的(de)譜線。通(tōng)過光(guānβφδ×g)栅等分(fēn)光(guāng)後，利用(yò∏ ✔ng)檢測器(qì)檢測特定波長(cháng)的(de)強度，光(guāng)的(de)強度與₽¥↕₽待測元素濃度成正比。

Icp設備構造

形成激發态的(de)原子(zǐ)和(hé)離(lí)子(zǐ)φ₽

檢測器(qì)檢測

X射線衍射XRD

分(fēn)析原理(lǐ)：X射線是(shì)原子(zǐ)內(nèi)層電(diàn)£₹子(zǐ)在高(gāo)速運動電(diàn)子(zǐ)的(de)轟擊下(xià)躍遷而産生(✔↕shēng)的(de)光(guāng)輻射，主要(yàoφ∞‍)有(yǒu)連續X射線和(hé)特征X射線兩種。晶體(tǐ)可"π¶β(kě)被用(yòng)作(zuò)X光(guāng)的(de)光γ↔(guāng)栅，這(zhè)些(xiē)很(hěn)大☆γ(dà)數(shù)目的(de)原子(zǐ)或離(lí)子(zǐα ‌≤)/分(fēn)子(zǐ)所産生(shēng)的(de)相(xiàng)幹散射&‍将會(huì)發生(shēng)光(guāng)的(π<♦de)幹涉作(zuò)用(yòng)，從(cóΩΩ ♠ng)而影(yǐng)響散射的(de)X射線的(de)強度增強或減弱。由于大(d> à)量原子(zǐ)散射波的(de)疊加，互相(xiàng)幹涉而産生(shēng'∏≈©)最大(dà)強度的(de)光(guāng)束稱為(w€÷♥←èi)X射線的(de)衍射線。

滿足衍射條件(jiàn)，可(kě)應用(yòng)布拉格公式：2dsi→‌nθ=λ

應用(yòng)已知(zhī)波長(cháng)的(de)X射線來(lái)測量θ角，π★₽從(cóng)而計(jì)算(suàn)δ₽​出晶面間(jiān)距d，這(zhè)是(shì)用(yòng)于X射線結構分(fβ←↔♦ēn)析;另一(yī)個(gè)是(shì)應用(yòng)已知(zhī)d←∞≈的(de)晶體(tǐ)來(lái)測量θ角，從(c₹≠∑&óng)而計(jì)算(suàn)出特征X射線的(de)波長(chán$σ∏↓g)，進而可(kě)在已有(yǒu)資料查出試樣中所含的(de)元素。

以下(xià)是(shì)使用(yòng)XRD确定未知(×λ×zhī)晶體(tǐ)結構分(fēn)析過程δ↔♦​：

XRD确定未知(zhī)晶體(tǐ)結構分(fēn)析過程

納米顆粒追蹤表征

分(fēn)析原理(lǐ)：納米顆粒追蹤分(fēn)析技(jì)術(shù)，₹<δ  利用(yòng)光(guāng)散射原理(lǐ)，不(bù)同粒徑顆粒的±₽φ(de)散射光(guāng)成像在CCD<©上(shàng)的(de)亮(liàng)度和(hé)光(guān¶δg)斑大(dà)小(xiǎo)不(bù)一(yī)樣，∞σ依此來(lái)确定粒徑尺寸; 合适濃度的(de)樣∏δ≥品均質分(fēn)散在液體(tǐ)中可(kě)以得(de)出粒徑尺寸分(fēn)布和(hé)顆粒濃♣φ度信息， 準确度非常高(gāo)。

不(bù)同粒徑顆粒的(de)散射光(guāng)成像在CCD

實際樣品測試效果

不(bù)同技(jì)術(shù)的(de)數(shù)據對(∞✘εduì)比

總有(yǒu)機(jī)碳分(fēn)析儀

總有(yǒu)機(jī)碳 (TOC) ←<Ω分(fēn)析儀通(tōng)過将水(shuǐ)中的(de)有(yǒu)機(jī)∞™£碳氧化(huà)成 CO2 并測量産生(shēng)的(de) CO2。

商業(yè)上(shàng)使用(yòng)的↑®•÷(de)三種主要(yào)的(de) CO2 檢"↑$測方法是(shì)：

非色散紅(hóng)外(wài) (ND≤≠αIR)

直接電(diàn)導（非選擇性電(diàn)導）

膜電(diàn)導檢測（選擇性電(diàn)導）

其中，非色散紅(hóng)外(wài) (NDIR) 檢測器(qì)通(tōng)過初始£≥×讀(dú)數(shù)來(lái)确定基線。當樣品進入 NDIR 池時(sγ<♥hí)，二氧化(huà)碳分(fēn)子(zǐ)吸收來(lái)自∏Ω≤✔(zì)光(guāng)源的(de)紅(hóng)外(wài)光(guāng)，降低(dī)到‍©(dào)達檢測器(qì)的(de)紅(hóng)外(wài)光(guāng)的(d↕ e)總透射率。在從(cóng)電(diàn)池中去(qù)除所有(yǒu)二氧化(←↑¥ huà)碳後，透光(guāng)率百分(fēn)比恢複為(wèi) 100%。

公衆号

GMP辦公室

專業(yè)的(de)GMP合規性研究組織

國(guó)內(nèi)外(wài)（F£©↔DA、EMA、MHRA、CFDA、WHO、PIC/S等）GMP法規解讀(d₽₽© ú)；

國(guó)內(nèi)外(wài)制(zhì)藥行(xíng)業(yè)GMP監管動态；✔↓

GMP技(jì)術(shù)指南(nán)（ISPE、PDA、ISO、ASβ≠≤TM等）分(fēn)享