114檢測網（http://www.test114.com.cn）提供可(kě)靠性試驗、電(diàn)₩§↕磁兼容測試、IP防護等級測試、高(gāo)低(dī)溫振動沖擊試驗、鹽霧測試、低(dī)₹•γ↕氣壓試驗、雷擊試驗、防塵防水(shuǐ)等服務≈∑,實驗室已獲國(guó)家(jiā)級CNAS≠&®>、CMA資質認可(kě),出具産品檢測報(bào★←)告
高(gāo)低(dī)溫試驗測試是(shì)用(yòng)來(lái)确定産品在高(gāo)溫氣候環境條件γ"↔(jiàn)下(xià)儲存、運輸、使用(yòng)的(de)适應性的(de)方法。高(gāoφ£↕)低(dī)溫試驗的(de)嚴苛程度取決于高(gāo)溫的(de)÷'溫度和(hé)曝露持續時(shí)間(jiān)。
高(gāo)低(dī)溫放(fàng)置試驗顧名思義即為(wèi)高(gāo)溫貯存和(hé)低(×☆✔dī)溫貯存試驗。全民(mín)檢測高(gāo)低(dī≈')溫試驗依據按照(zhào)GB/T24→✔€23.1和(hé)GB/T2423.2标準進行(xíng)試驗。
高(gāo)溫貯存試驗：電(diàn)子(zǐ)設備擱置在溫度試驗箱中，φε設備處于斷電(diàn)狀态，高(gāo)溫貯存結束後，進行(xí<•↑↓ng)通(tōng)電(diàn)測試；
低(dī)溫貯存試驗：電(diàn)子(zǐ)設備擱置在溫度試驗箱$∞中，設備處于斷電(diàn)狀态，低(dī¶)溫貯存結束後，進行(xíng)通(tōng)電(diàn)測試。♣©×
高(gāo)低(dī)溫試驗測試流程：
1、在樣品斷電(diàn)的(de)狀态下(xià)，先将溫度下(xià)降到(dào)-50°C÷✘♥，保持4個(gè)小(xiǎo)時(sh★γí);
請(qǐng)勿在樣品通(tōng)電(diàn)的(de)狀态下(xià)進行(xín∞±γg)低(dī)溫測試，非常重要(yào)，因為(wèi)通(tōng)電(di'αàn)狀态下(xià)，芯片本身(shēn)就(ji÷±βù)會(huì)産生(shēng)+20°✘≠C以上(shàng)溫度，所以，在通(tōng)電(diàn)狀态下(xià)，通(€ α£tōng)常比較容易通(tōng)過低(dī)溫測試，必須先将其凍透，再次通(tō↕•£ng)電(diàn)進行(xíng)測試。
2、開(kāi)機(jī)，對(duì)樣品進行(xíng)性能(néng)測試，對(duì)₹←比性能(néng)與常溫相(xiàng)☆比是(shì)否正常。
3、進行(xíng)老(lǎo)化(huà)測試，觀& >察是(shì)否有(yǒu)數(shù)據對(duì)比錯(cuò)誤。
4、升溫到(dào)+90°C，保持4個(gè)小(x§<✔iǎo)時(shí)，與低(dī)溫測試相(xiàng)反，升溫過程不(bù)斷電(di€∏"àn)，保持芯片內(nèi)部的(de)≤★±Ω溫度一(yī)直處于高(gāo)溫狀态，4個(gè ★®)小(xiǎo)時(shí)後，執行(x♣ íng)2、3、4測試步驟。
5、高(gāo)溫和(hé)低(dī)溫測試分(fēn)别重複10次。
如(rú)果測試過程出現(xiàn)任何一(yī)次不(bù)能(néng≠•)正常工(gōng)作(zuò)的(de)狀态，則視(shì)為(wèi)測試失±•敗。
高(gāo)低(dī)溫試驗參考标準：
GB/T2423.1-2008試驗A：低(dī)溫試驗方法₽ε
GB/T2423.2-2008試驗B：高(gāo)溫試驗♥★₹方法
GB/T2423.22-2002試驗N：溫度變化(huà)¶&試驗方法
