高(gāo)中教學設備國(guó)內(nèi)專業(yè)IGBT動态測試

從(cóng)一(yī)些(xiē)數(sh×β✘&ù)據報(bào)告中，或許我們可(kě)以窺探出IGBT市(shì)場(chǎng)的(de)↑‌✔發展态勢：2014年(nián)，國(guó)內(nèi)IGBT銷售額是(shì)8®↓8.7億元，約占全球市(shì)場(chǎng)的(de)1∕3。預計(jì)2020年(ni→¶α∑án)，中國(guó)IGBT市(shì)場(chǎng)規模将超200π≤<億元，年(nián)複合增長(cháng)率約為(wèi)15​∞&%。

在電(diàn)力電(diàn)子(zǐ)器(qì)件(ji₽​∏àn)産業(yè)中，其核心是(shì)電(diàn)力電(diàn)子(z$∞ ǐ)芯片和(hé)封裝的(de)生(shēng)産，但(dàn)也(yě)離(lí)不(bù)開☆↑≤♣(kāi)半導體(tǐ)和(hé)電(diàn)子(zǐ)材料、關鍵零部件(jiàn)、制±₽ ¥(zhì)造設備、檢測設備等産業(yè)的(de)支撐。因此，大(dà)力推進IGBT市(s×↓ hì)場(chǎng)發展的(de)同時(shí)，既需要(yào)上(shàng)遊基礎的₽₩©(de)材料産業(yè)的(de)支持，又(yòu)需要±↓↕₹(yào)下(xià)遊裝置産業(yè)的(de)拉動。

深圳威宇佳智能(néng)控制(zhì)有(yǒΩ¶€∏u)限公司，是(shì)以IGBT、MOSFET、SiC等為(wèi)主✘≈±↕要(yào)功率半導體(tǐ)的(de)測試設備開(kāi)∏Ω發制(zhì)造企業(yè)，團隊核心技(jì)術(shù)成員(yuán)來(lái)自(zì)Ωσ☆于IGBT設備、模塊開(kāi)發及測試應用(yòng)領域等國α™φΩ(guó)內(nèi)外(wài)大(dà)型企業(yè)。

公司成立于2014年(nián)，是(shì)Ω​國(guó)內(nèi)首家(jiā)電(diàn)動汽車(chē‍₽£)用(yòng)IGBT動态測試設備制(zhì)造♥✘λ商；它已通(tōng)過ISO9001質量體(tǐ)系認證•β"，并獲得(de)多(duō)項專利和(hé)軟件(jiàn)著作(zuò)權，測試設備也(yě)已♣±•σ獲得(de)賽寶計(jì)量檢測中心（工(gōng)業(yè)和(hé)γ §信息化(huà)部電(diàn)子(zǐβφγ)第五研究所）的(de)校(xiào)準證書(shū)。

作(zuò)為(wèi)一(yī)種新型的(de)電(diàn)力電(diàn ε)子(zǐ)器(qì)件(jiàn)，IGBT模塊具有(yǒu)電(diàn)壓高(gā≈πo)、電(diàn)流大(dà)、頻(pín)率高(gāo)、導通(tōng)電(diàn)阻☆™©₩小(xiǎo)等特點，被廣泛應用(yòng)在變頻(pín)器(qì)ε✘&的(de)逆變電(diàn)路(lù)中。但(dà↔×★§n)是(shì)，由于IGBT的(de)耐過流能(néng)力與耐過壓能 •(néng)力較差，一(yī)旦出現(xi>>àn)意外(wài)就(jiù)會(huì)使它損壞。為(wèi)此，必須對<≈‌§(duì)IGBT進行(xíng)相(xiàng)關保護，獲悉其動态參↑​♠數(shù)是(shì)舉措之一(yī)。

深圳威宇佳開(kāi)發的(de)IGBT動态測試設備（φ→→1500V/2000A)為(wèi)國(guó)內(nèi)首創，打破國(guó)φ∑☆♥外(wài)壟斷，并已在國(guó)內(nèi)多(duō)家(jiā)大(dà)→‍型IGBT功率半導體(tǐ)模塊廠(chǎng)家(jiā)批量應用(yòng)。

對(duì)于很(hěn)多(duō)IGBT功率半導體Ω↑✔(tǐ)制(zhì)造商來(lái)說(sh↕≈★uō)，這(zhè)款設備的(de)确有(yǒu)其值得(de)使用≠β™₩(yòng)之處：

l 可(kě)測試IGBT、SiC等開(kāi)通(tō☆€∏∞ng)、關斷、短(duǎn)路(lù)、栅極電(diàn)荷 ≠β以及二極管反向恢複各項動态參數(shù)；

l 可(kě)測試單管、半橋、四單元、六單元、PIM等絕大↕✔(dà)多(duō)數(shù)封裝的(de)IGBT模塊及DBC；

l 半自(zì)動化(huà)，自(zì)動進出₽$料；

l 電(diàn)壓電(diàn)流規格最大(dà)¶™2000V/2000A，短(duǎn)路(lù)電(diàn)流最高(gāo)50®¥00A，可(kě)按用(yòng)戶需求定制(zhì)更高(gāo)電(diàn)壓電(d∏ >εiàn)流規格；

l 測試夾具采用(yòng)壓接方式，連接電(diàn)感小(xiǎo)，即插'≤ ↔即用(yòng)，更換夾具便捷。此外(wài)，可(kě)兼容多(duō)種♠•βπ封裝的(de)模塊及DBC；

l 采用(yòng)軟硬件(jiàn)結合的(de)過流保護機(jī)制(zhì)，保護速度快(™♦ kuài)（<3us），保護電(diàn)流值可(kě)預設；

l 具有(yǒu)自(zì)動短(duǎn)路(lù)測試功能(néng)；¶÷φ©

l 具有(yǒu)Qg測試功能(néng)；

l IGBT模塊/芯片測試設備機(jī)台寄生(shēng)電(diàn)感<50nH☆¶©。

借助先進的(de)測試理(lǐ)念、使用(yòng)低(dī)雜(zá)散電(diàn)感技(✔÷♠jì)術(shù)，即使是(shì)對(duì)于新型寬禁帶半導體(tǐ)（如(rú)SiC©→）的(de)測試，這(zhè)款IGBT動态測試設備依然遊刃有(♠♦yǒu)餘。通(tōng)過在軟件(jiàn)、硬件(jiàn)平₩‍台上(shàng)的(de)持續開(kāi)發，以及對(duì)新技(jì)術<≤§(shù)堅持不(bù)懈的(de)鑽研，該公司還(hái)研制(zhì)了  ₽(le)如(rú)PIM & 單管IGBT專用(yòng)動态設備、IGBT靜(jì♥σλ©ng)态參數(shù)測試設備、功率半導體(tǐ)測試平台、高(gāo)壓¥'© 安全試驗箱、可(kě)調空(kōng)心電(±&diàn)感器(qì)、動靜(jìng)态參數(shù)全自≤Ω↓'(zì)動測試設備等，為(wèi)滿足更多(duō)新的(de)功率​∑"半導體(tǐ)檢測及應用(yòng)技(jì)術(shù)要(yào)求提供☆₹ α了(le)可(kě)能(néng)性。

從(cóng)用(yòng)戶需求出發，深圳威宇佳提↑∏供了(le)豐富的(de)培訓資源以及技(jì)術(shù)支持、₩∞★$咨詢、軟硬件(jiàn)集成服務，幫助用(yòng≈♠©)戶最大(dà)限度地(dì)提高(gāo)生∞α(shēng)産力、降低(dī)成本。